SÍNTESIS, ANÁLISIS TÉRMICO Y CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL COMPUESTO Ag2GeSe3

Resumen

El compuesto ternario Ag2GeSe3 pertenece a la familia de los compuestos I2IVVI3 de derivación catiónica adamantana con empaquetamiento anionico cúbico proveniente de la estructura esfalerita. Se obtuvieron muestras policristalinas sintetizadas por el metodo de transporte en la fase de vapor, cuya pureza de los elementos constituyentes eran de 5N. El semiconductor Ag2GeSe3 se caracterizo por las técnicas de análisis termico diferencial, absorción óptica y difracción de rayos X, cuyos resultados indican que su punto de fusión se encuentra a una temperatura de 794 K, posee una brecha de energia directa de 0.851 eV a presión y temperatura ambiente, a su vez el patrón de difracción muestra  la presencia de un 86,5 % de la fase principal Ag2GeSe3 y un 11,5 % de una fase secundaria identificada como GeSe. El refinamiento de los parámetros de celda establece que la fase principal del compuesto Ag2GeSe3 cristaliza en una estructura cuya simetria es monoclinica, con un grupo espacial C2/c (Nº 15), Z = 4, y cuyo valor de los parámetros de la celda unidad son: a = 6,775(8) Å, b = 22,581(3) Å, c = 11,635(5) Å, con un ángulo β = 97,08(2)° y el volumen de la celda unidad V = 1766,48 Å3. El refinamiento de parámetros convergió a las figuras de mérito M(20) = 11,2; F(20) = 21,2 (0,0052; 490); para 490 reflexiones independientes.